王志清, 侯艳霞, 杨国武, 齐荣, 乔丽丽, 娄金辉
用单四极杆电感耦合等离子体质谱法(SQ-ICP-MS)测定高纯钽、高纯钨、高纯钼中痕量Si时,会受到14N14N+、12C16O+的干扰,严重影响测定结果,这一直是ICP-MS测定低含量Si的研究难点。采用王水-氢氟酸体系消解样品,在串联四极杆(MS/MS)模式下,先设置一级质量过滤器(Q1)的质荷比(m/z)为28,接着向碰撞/反应池内通入氢气,此时Si不与氢气反应,而干扰离子则均与氢气反应生成质荷比不等于28的多原子离子;设置二级质量过滤器(Q2)的质荷比(m/z)为28,仅有28Si+通过并被检测器检测,故而避免了14N14N+、12C16O+的质谱干扰。据此,建立了电感耦合等离子体串联质谱法(ICP-MS/MS)测定高纯钽、高纯钨、高纯钼中Si的方法。对氢气流速进行了优化,确定氢气流速为4 mL/min。考察了不同质量浓度的钼、钽、钨基体对Si含量测定的影响,试验结果表明,这3种基体的基体效应均较为显著,但采用Sc内标进行校正后可克服基体效应。方法线性范围为1~100 μg/L,线性相关系数为1.000,检出限为0.33 μg/L,定量限为1.11 μg/L。采用实验方法测定高纯钽、高纯钨和高纯钼中Si并进行加标回收试验,测定结果的相对标准偏差(RSD,n=7)均小于5%,加标回收率为94%~111%。采用实验方法对来自不同生产企业的高纯钼(纯度大于99.99%)、高纯钽(纯度大于99.99%)、高纯钨(纯度大于99.99%)样品进行测定,测定结果与企业所提供的Si含量范围基本一致。