贾晓琪, 张秀艳, 陈彪, 李欣欣, 王振江, 任旭东
高纯氧化铕广泛应用于荧光材料,杂质含量直接影响其使用性能,高效、准确测定其杂质元素的含量至关重要。以高纯铟为导电介质,将氧化铕粉末压到铟片上制成样片,利用高纯氧化铕质控样品对其中34种元素的相对灵敏度因子进行校正,通过选择合适的同位素和分辨率克服质谱干扰,建立了直流辉光放电质谱法(dc-GDMS)测定高纯氧化铕中S、Cl、Si、Na等72种杂质元素的方法。优化后的实验条件如下:放电电流为2.0 mA,放电气体流量为0.30 mL/min,预溅射时间为30 min,样品薄层直径为3~5 mm,K元素在高分辨率(R=5 689)下测定,其他元素均在中分辨率(R=4 000)下测定。实验表明,72种元素的检出限为0.003~50.01 μg/g,定量限为0.01~166.7 μg/g。按照实验方法测定4N级(纯度为99.99%)高纯氧化铕粉末样品中72种杂质元素,结果表明:样品中杂质元素含量大于1 μg/g时,相对标准偏差(RSD,n=6)在10%以内;杂质元素含量在0.1~1 μg/g范围内,RSD(n=6)在20%以内;杂质元素含量低于0.1 μg/g时,RSD(n=6)在30 %以内。采用电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)对该样品中部分含量相对较高的杂质元素进行测定,结果表明,两种方法测定结果基本一致。