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| 电感耦合等离子体原子发射光谱法测定工业硅中痕量硼 |
| 潘文艳;樊国洋;林为涛; |
| 大连道氏硅业有限公司; |
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摘要 样品经硝酸和氢氟酸混合酸分解后,采用电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)法测定工业硅中痕量硼杂质元素。试验发现,控制加热温度在140～180℃,可以有效抑制硼元素的挥发。对分析谱线的选择进行探讨,选定B208.959nm{161}作为B的分析谱线,而且,适当的扣除背景点,基体和其它共存元素在实验条件下均未对B208.959nm{161}线产生光谱干扰现象。在仪器最佳工作条件下,方法检出限为0.03μg/mL,回收率在90%～105%,相对标准偏差≤7.0%(n=11)。用本方法测定工业硅标准样品中硼,测定值与认定值相吻合。
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| 关键词 ：
电感耦合等离子体原子发射光谱,
工业硅,
硼
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出版日期: 2010-06-28
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通讯作者:
潘文艳;
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